台积电正式公布2nm制程：功耗降低30%，预计2025年量产

6 月 17 日讯息，台积电在 2022 年技艺研讨会上引见了关于将来优秀制程的信息，N3 工艺将于 2022 年内量产，后续具有 N3E、N3P、N3X 等，N2(2nm)工艺将于 2025 年量产。

台积电首先引见了 N3 的 FINFLEX，囊括还有以下特点的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 设置：

3-2 FIN 最快的时钟频次和最高的功能满意最刻薄的较量争论需要

2-2 FIN Efficient Performance，功能、功率效力和密度之间的优越均衡

2-1 FIN 超高能效、最低功耗、最低透露和最高密度

台积电称 FINFLEX 扩大了 3nm 系列半导体技艺的产品功能、功率效力和密度规模，许可芯片策划职员运用相同的策划道具集为同一芯片上的每个关键性能块抉择最好选项。

而在 N2 方面，台积电称这是其第一个运用缠绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，而非而今的 FinFET(鳍式场效应晶体管)。新的创造工艺将供应周全的功能和功率上风。在相同功耗下，N2 比 N3E 速率快 10~15%;相同速率下，功耗升高 25~30%。不外，与 N3E 比拟，N2 仅将芯片密度提升了 10% 阁下。

N2 工艺带来了两项重要的翻新：纳米片晶体管(台积电称之为 GAAFET)和 backside power rail。GAA 纳米片晶体管的通道在一切四个一边都被栅极突围，从而减少了透露;此外，它们的通道能够加宽以增多驱动电流并提升功能，也能够缩小以最大限度地升高功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管供应充足的功率，台积电的 N2 运用 backside power rail，台积电以为这是在 back-end-of-line (BEOL) 中抗衡电阻的最好处理计划之一。

台积电将 N2 工艺定位于各类移动 SoC、高性能 CPU 和 GPU。具体显示若何，还需求比及后续测试出炉能力得悉。